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第8章 場效電晶體－8-4E-MOSFET之結構特性及直流偏壓(2)
國家教育研究院、教育部國民及學前教育署、台達文教基金會
臨界電壓、歐姆區、夾止飽和區、截止區、非線性電阻特性
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1. 分析E-MOSFET的VGS與VDD對工作區的影響 2. 操作在歐姆區、夾止飽和區及截止區的條件判斷
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2016
2020-07-30
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